아직도 확정되지 않은 스냅 855 생산주체..TSMC인가 삼전인가..나는 후자에 한표

• 삼성, TSMC에 스냅드래곤 855 위탁 생산 내줘...샘모바일 “장기적으로 삼성이 기술 우위”
  [키뉴스 정명섭 기자] 삼성전자의 내년 신작 갤럭시S10에 퀄컴의 7나노 공정 기반의 스마트폰 칩셋 스냅드래곤 855가 최초 적용될 전망이다.

IT 전문 매체 샘모바일은 17일(이하 현지시간) 독일 유명 IT 전문 블로거 로랜드 콴트를 인용해 퀄컴의 차세대 칩셋 스냅드래곤 855가 7나노 핀펫 공정을 기반으로 한 세계 최초 SoC(시스템온칩)이라고 보도했다.
전작인 스냅드래곤 845는 10나노 공정 기술이 적용됐고, 스냅드래곤 X20 LTE 모뎀이 적용됐다. 공정이 미세화되면 단말기 내 차지하는 공간도 줄일 수 있으면서도 칩셋의 성능과 전력 효율을 높일 수 있다.
샘모바일은 “삼성전자가 내년 선보일 갤럭시S10은 갤럭시S9에 적용된 엑시노스 9810, 스냅드래곤 845보다 강력한 스냅드래곤 855가 탑재된 최초의 스마트폰이 될 것이다”라고 전했다.

삼성전자는 퀄컴의 스냅드래곤 855 위탁 생산을 TSMC에 내준 것으로 알려졌다. 삼성전자는 10나노 공정 개선에 초점을 맞춰 7나노 공정의 지연이 발생한 반면 TSMC는 10나노보다 7나노 공정에 더 집중했다고 이 매체는 설명했다.

반면 삼성전자가 올해 하반기에 7나노 칩셋을 대량생산하면 TSMC보다 기술적 우위에 있을 것이란 전망도 나온다.
샘모바일은 “TSMC가 사용하는 전통적인 광학 공정에 비해, 삼성의 마이크로 프로세서 제조를 위한 극자외선(EUV) 리소그래피 기술이 각광받을 것”이라며 “EUV로 인해 애플은 7나노 기반의 A12 칩셋 제조를 삼성에게 맡길 것으로 예상한다”고 전했다.

다른 기사에 보면
Qualcomm Snapdragon X24 LTE 모뎀은 7X 캐리어 집계 사양을 갖춘 세계 최초의 7nm FinFET 모뎀입니다.
7nm FinFET 공정으로 제작 된 Snapdragon X24 LTE 칩은 7nm FinFET 제조 공정에서 제조 된 세계 최초의 모뎀으로 최대 5 개의 통합 LTE 캐리어에서 7X 캐리어 집계 및 4x4 MIMO를 지원하는 범주 20 LTE를 지원합니다.
Unfortunately, it was not confirmed what lithography the SoC would be taking advantage of.
Now, according to the company’s contractors and a leakster, we might very well be seeing the world’s first SoC made on the advanced 7nm node.

고민이 많을 것이다.
애플은 퀄컴이랑 싸우면서 아이폰에 모뎁칩을 못 넣게 생겼다.
인텔 모뎁칩으로 간다고 하고 있다.

그렇게 되면 남은 건 삼성전자의 갤럭시인데

칩제조를 ㅋ TSMC에 맡기고 이거 쓰자고 하면 삼전이 고맙습니다. 하고 쓸까?

삼전의 목표는 하반기 7나노 개선모델을 EUV로 양산하는 것이고 이 모델을 갤럭시 ap로 사용하고자 할 것이다. 그러므로 지금 나오는 스냅855를 굳이 TSMC에게 맡길 이유가 없다...

저 위의 외국인들은 어떤 소스로 저렇게 추측하는지 모르겠지만...삼전에 못 넣었던 퀄컴은 적자가 났었다.....그 상황을 다시 한번 반복하고 싶지는 않을 것인데...